近日，
昕感科技面向新能源領(lǐng)域推出一款重量級
SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0），實(shí)現了
業(yè)界領(lǐng)先的超低導通電阻規格1200V/7mΩ。昕感新品基于
車(chē)規級工藝平臺，采用
先進(jìn)結構和制造工藝，兼容18V柵壓驅動(dòng)，配合TO-247-4L Plus封裝，有力提升了國產(chǎn)碳化硅器件的性能。新產(chǎn)品瞄準
新能源汽車(chē)主驅等亟需高壓大電流與低損耗的功率半導體開(kāi)關(guān)應用，助力新能源領(lǐng)域快速更新?lián)Q代，為國家“碳達峰、碳中和”目標的實(shí)現做出貢獻。
昕感新品采用出色的TO-247-4L Plus封裝，具備開(kāi)爾文源極和低熱阻等優(yōu)勢，能夠顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)損耗及震蕩，提升器件散熱表現。
昕感新品工作電流可達300A以上，具有正溫度系數，可方便實(shí)現大電流并聯(lián)。同時(shí)，昕感新品的漏電流極低（<1μA@1200V），具備優(yōu)越的高壓阻斷特性。
N2M120007PP0器件部分靜態(tài)特性
昕感新品已完成一系列動(dòng)態(tài)測試和可靠性考核（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等），在不同條件下正常動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)。
N2M120007PP0器件800V/200A下的開(kāi)關(guān)波形
除TO-247-4L Plus等單管封裝外，昕感1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片也可封裝進(jìn)定制化功率模塊，便于廣泛實(shí)現其在汽車(chē)主驅等新能源領(lǐng)域中的應用。
昕感科技聚焦于第三代半導體碳化硅功率器件和功率模塊的技術(shù)突破創(chuàng )新和產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)，致力于成為國內領(lǐng)先和具有國際影響力的功率半導體變革引領(lǐng)者。昕感科技擁有從器件到模塊再到應用的全流程高度定制化技術(shù)能力，能夠匹配各領(lǐng)域客戶(hù)需求，幫助客戶(hù)快速建立差異化競爭優(yōu)勢。
昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數十款碳化硅器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ直至7mΩ等導通電阻規格，模塊產(chǎn)品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。1200V/80mΩ SiC MOSFET已通過(guò)AEC-Q101車(chē)規級可靠性認證，也標志著(zhù)在此工藝平臺上開(kāi)發(fā)的多款更低導通電阻器件達到車(chē)規級可靠性水平。
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