近日,第八屆國際第三代半導體論壇(IFWS)&第十九屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)在蘇州勝利閉幕。 來(lái)自政、產(chǎn)、學(xué)、研、用、資等LED及第三代半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域國內外知名專(zhuān)家、企業(yè)高管、科研院所高校學(xué)者代表超過(guò)1600位,在會(huì )期27場(chǎng)專(zhuān)題活動(dòng)中深入交流研討、追蹤產(chǎn)業(yè)前沿新風(fēng)向。

閉幕式
立足當下,聚焦關(guān)鍵,追蹤前沿新風(fēng)向
以碳化硅為代表的第三代半導體被稱(chēng)為綠色半導體。在“雙碳”背景下,產(chǎn)業(yè)結構將面臨深刻的低碳轉型挑戰,能源技術(shù)將會(huì )引領(lǐng)能源產(chǎn)業(yè)變革,實(shí)現創(chuàng )新驅動(dòng)發(fā)展。
當前,第三代半導體產(chǎn)業(yè)駛入發(fā)展“快車(chē)道”。在新能源汽車(chē)、工業(yè)互聯(lián)、5G通信、消費類(lèi)電子等多重需求的強力拉動(dòng)下,第三代半導體材料、器件正在快速實(shí)現從技術(shù)研發(fā)到規?;慨a(chǎn)。
國際上看,美歐紛紛宣布加大資金投入,確保半導體產(chǎn)業(yè)鏈、供應鏈自主和安全。國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)也進(jìn)入快速“成長(cháng)期”。面對國際社會(huì )在半導體領(lǐng)域的巨額投入、聯(lián)合發(fā)展和技術(shù)產(chǎn)業(yè)封鎖,國內各級政府從產(chǎn)業(yè)政策、發(fā)展規劃、技術(shù)研發(fā)、平臺建設、應用推廣、稅收優(yōu)惠等各方面對半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行全面支持,在政策驅動(dòng)及應用需求升級帶動(dòng)下,國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。據CASA數據顯示,2021年,國內第三代半導體電力電子市場(chǎng)規模約71.1億元,未來(lái)五年CAGR將近45%。
國際國內SiC與GaN技術(shù)和產(chǎn)品以及應用也在不斷的進(jìn)步。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢,并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動(dòng)機車(chē)、工業(yè)電機等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展潛力。
碳化硅電力電子器件具備更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的工作溫度,在新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)等一些重要領(lǐng)域展現出其巨大的應用潛力。氮化物半導體涉及藍/白光LED、紫外LED,微波射頻器件、功率電子器件等諸多應用,比如深紫外光源已用于日常生活、生產(chǎn)科研、國土安全等領(lǐng)域。
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料與其他先進(jìn)電子材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性,在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領(lǐng)域具有顯著(zhù)的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展潛力。

分論壇現場(chǎng)
三天時(shí)間里,圍繞著(zhù)碳化硅襯底材料、氮化物襯底材料,功率模塊與電源應用、碳化硅功率電子材料與器件、氮化鎵功率電子材料與器件、固態(tài)紫外材料與器件、化合物半導體激光器技術(shù)、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)、生物農業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應用、射頻電子材料與器件、超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件、教育照明與健康光環(huán)境、光醫療應用技術(shù)、智慧照明設計與應用、第三代半導體產(chǎn)業(yè)人才發(fā)展論壇、車(chē)用半導體創(chuàng )新合作、第三代半導體標準與檢測等主題。來(lái)自政、產(chǎn)、學(xué)、研、用、資等LED及第三代半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域國內外知名專(zhuān)家、企業(yè)高管、科研院所高校學(xué)者代表參會(huì )超過(guò)1600位嘉賓臺上臺下展開(kāi)探討,從不同的角度分享不同見(jiàn)解,觀(guān)點(diǎn)碰撞,探求技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化難題解決之道。

分論壇現場(chǎng)

先進(jìn)半導體技術(shù)應用創(chuàng )新展(CASTAS)現場(chǎng)
與時(shí)偕行 戮力同心 開(kāi)創(chuàng )新局面
“十四五”是我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)從“有無(wú)”到解決“能用”和“卡脖子”問(wèn)題,實(shí)現全產(chǎn)業(yè)鏈能力和水平提升,整體國際同步,局部實(shí)現超越的關(guān)鍵階段。要實(shí)現這一目標,迫切需要政產(chǎn)學(xué)研用緊密合作,著(zhù)力突破材料和器件關(guān)鍵技術(shù)、加快可靠性驗證、完善標準體系、推動(dòng)國產(chǎn)替代應用、強化人才培育和引進(jìn),構建要素齊全、創(chuàng )新活躍、開(kāi)放協(xié)同的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
作為首屈一指的經(jīng)典行業(yè)盛會(huì ),秉持與時(shí)偕行的精神,守望產(chǎn)業(yè)的發(fā)展壯大。歷經(jīng)近20年的成長(cháng)蛻變,論壇已成為國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)最堅定的支持和推動(dòng)力量,集最前沿趨勢,技術(shù)、應用與服務(wù)于一體的”航母式“綜合服務(wù)平臺,并在持續成長(cháng)升級。面對更復雜多變的國內外產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢,論壇不改初心,繼續凝聚更多先進(jìn)力量,全力為產(chǎn)業(yè)發(fā)展保駕護航。

中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)秘書(shū)長(cháng)阮軍
中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)秘書(shū)長(cháng)阮軍代表組委會(huì )介紹了本屆會(huì )議籌辦情況,本次會(huì )議得到了業(yè)界、學(xué)界廣泛的支持與積極參與,本屆論壇為期三天,包含一場(chǎng)大會(huì ),190余個(gè)報告,13場(chǎng)主題技術(shù)分論壇、7場(chǎng)熱點(diǎn)產(chǎn)業(yè)峰會(huì )、三場(chǎng)工作會(huì )議,共計27個(gè)專(zhuān)題活動(dòng),以及先進(jìn)半導體技術(shù)應用創(chuàng )新展(CASTAS)、POSTER論文交流等多種形式的分論壇。據組委會(huì )初步統計,本屆論壇全國各地2000名代表注冊參會(huì ),實(shí)際參會(huì )人數超過(guò)1600名。

最佳POSTER優(yōu)秀海報獎頒獎儀式
閉幕儀式上,香港科技大學(xué)劉紀美教授, 中電科第五十八所所長(cháng)蔡樹(shù)軍研究員,西安電子科技大學(xué)張玉明教授,全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長(cháng)、廈門(mén)大學(xué)講座教授邱宇峰,復旦大學(xué)張清純教授和廈門(mén)大學(xué)康俊勇教授共同為本次會(huì )議最佳POSTER優(yōu)秀海報獎獲得者頒發(fā)榮譽(yù)證書(shū)。
阮軍秘書(shū)長(cháng)表示,作為開(kāi)年第一場(chǎng)國際盛會(huì ),吸引了創(chuàng )論壇紀錄的參與人數,得益于蘇州及長(cháng)三角的產(chǎn)業(yè)基礎,感謝江蘇省科學(xué)技術(shù)廳、蘇州科技局、蘇州工業(yè)園區的大力支持。第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟(CASA)、中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)既是各自領(lǐng)域內產(chǎn)業(yè)發(fā)展的見(jiàn)證者,也是技術(shù)創(chuàng )新的推動(dòng)者。促進(jìn)半導體技術(shù)創(chuàng )新,推動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)的共建,是聯(lián)盟義不容辭的光榮使命。真誠邀請業(yè)界同仁建言獻策,戮力同心,一起開(kāi)創(chuàng )第三代半導體產(chǎn)業(yè)的新局面。更多后續詳情報道,敬請關(guān)注第三代半導體產(chǎn)業(yè)微信公眾號。
責任編輯: 李穎